采用3D NAND技术：SanDisk 闪迪 发布 iNAND 7550 和 iNAND 8521 嵌入式闪存
在科技界，每次存储技术的提升都仿佛带来一场无声的革命。当三星宣布大规模生产高容量UFS存储器时，闪迪也推出了新款式，这自然成为了众多科技发烧友关注的焦点。
闪迪发布两款新品
当前，闪存技术进步迅猛。闪迪推出的iNAND8521与iNAND7550两款新品，采用了64层3DNAND技术。这种技术的应用，代表闪存技术在微观堆叠上迈上新台阶，能在较小空间存储更多数据。两款产品还应用了第四代SmartSLC智能缓存技术，它们的主要区别在于服务不同市场层级，这是闪迪针对市场需求精心布局的体现。
这两款产品现已开始提供样品，预计将在来年的高端机型中得到应用。这一举措对手机行业具有显著影响，众多手机制造商很可能会利用这些新型存储技术，对手机设计进行更深入的优化和调整。
iNAND8521面向高端智能手机
iNAND8521遵循UFS2.1规范，搭载了第五代“SmartSLC”智能高速缓存技术。作为前代产品的升级版，它在性能上有了显著提升。连续写入速度提高了两倍，4K随机写入速度更是提升了十倍，这种提升并非微不足道。
存储容量从32GB到256GB不等，可满足各类用户需求。读取速度高达800MB/s，写入速度也有500MB/s，速度相当快。比如，从电脑传输几个G的高清视频到手机，这样的传输速度能大大缩短时间。在4K随机读写方面，它展现出了出色的性能，数据处理速度极快。
iNAND8521性能对比
iNAND8521的数据表现十分出色。和iNAND7232相较，其连续写入能力以及4K随机写入能力均有明显进步。在读取速度方面，它达到了800MB/s，而在写入速度上，则有500MB/s的表现，这在众多闪存产品中都是非常领先的。
这种速度已经能够与SSD相媲美。对移动设备来说，这表示许多之前只能在电脑固态盘中体验的快速存储和读取功能，现在连小小的手机也能做到。比如，一些高清图片和视频编辑软件对手机的读写速度要求极高，而iNAND8521的问世或许能改善移动设备上照片和视频编辑的用户体验。
iNAND7550面向主流市场
iNAND7550主要针对主流市场，遵循e.MMC5.1规范。与高端产品iNAND8521相比，其性能略逊一筹，这主要是因为它在成本和普通用户需求之间寻求平衡。
它提供了多种容量供选择，最大读写速度可达260MB每秒，4K读写性能分别达到20000IOPS和15000IOPS。这样的性能对于日常文件存储、运行一些常见应用来说，是绰绰有余的。大多数普通用户，使用手机主要是存照片、文档，偶尔用用社交或新闻应用，iNAND7550完全能满足这些需求。
iNAND7550性能的合理性
iNAND7550的性能不算顶尖，不过价格相对亲民，且在满足普通用户需求方面绰绰有余。就好比市场上的汽车，并非每位车主都追求高性能跑车。对企业来说，这类产品足以满足大众需求，还能通过成本控制来扩大市场份额。
考虑到普通用户日常使用情况，虽然其读写速度略逊于iNAND8521，但在运行小型应用、查看照片等场合，其响应速度依然迅速，不会给用户带来太多不便。这种分等级的产品设计，无疑是一种高明的市场策略。
对智能手机行业的影响
新产品的问世无疑会给智能手机市场带来变化。手机存储和读写性能的增强，使得整体性能和用户感受都有所提升。举例来说，安装大型游戏的速度变快了，多任务之间的切换也更加迅速。
手机制造商会依据这些新型存储技术来规划新的产品策略，致力于打造更先进的手机功能。新闪存的出现，手机价格会不会有所变动？这确实是个值得关注的问题。
